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Philips Semiconductors Product specification
Dual rectifier diodes BYV74W series
ultrafast
Fig.5. Maximum trr
at T
j
= 25?C and 100?C; per diode
Fig.6. Maximum Irrm
at T
j
= 25?C and 100?C; per
diode
Fig.7. Typical and maximum forward characteristic
IF
= f(V
F); parameter Tj
Fig.8. Maximum Qs
at T
j
= 25?C; per diode
Fig.9. Transient thermal impedance per diode
Zth j-mb= f(tp)
1
110100
10
1000
trr / ns
100
dIF/dt (A/us)
1A
IF=20 A
Tj = 25 C
Tj = 100 C
1
1.0 10 100
-dIF/dt (A/us)
10
100
Qs / nC1000
IF = 20 A
2 A
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10 100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF= 20 A
Tj = 25 C
Tj = 100 C
T
t
0.0011us 10us 100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
0.01
0.1
1
10
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
BYV42E
pulse width, tp (s)
D =
tp
T
tp
PD
00 0.5 1 1.5 2
10
20
30
40
50
IF / A
Tj = 25 C
BYV74
VF / V
Tj = 150 C
max
typ
April 1998 3 Rev 1.000
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